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      碳化硅雪崩光電二極管及其陣列知識科普
      作者: 編輯: 來源: 發布日期: 2021.03.28
      信息摘要:
      以碳化硅雪崩光電二極管為核心的固體紫外探測器在火焰探測、天文研究、電暈探測乃至導彈羽流探測等方面都具有廣泛的應用前景。但其陣列是何樣的呢?接…
        以碳化硅雪崩光電二極管為核心的固體紫外探測器在火焰探測、天文研究、電暈探測乃至導彈羽流探測等方面都具有廣泛的應用前景。但其陣列是何樣的呢?接下來,小編來為大家科普一下相關知識。
        盡管目前國內外學者對用于紫外探測的4H-SiC-apd進行了廣泛的研究,但近幾年來,大多數的研究工作都集中在分立器件上。雪崩光電二極管陣列的高像素收率、低泄漏電流、擊穿電壓波動小等特點是很難實現的。此前報道過的4H-SiC-APD陣列通常尺寸較小,而且像素數較少。
        對高性能4H-SiC紫外雪崩光電二極管和1×128線陣進行了制備和研究。用CVD法制備了4H-SiC外延層,并對4H-SiC-APD外延層的結構進行詳細設計。
        另外,為了得到均勻的低缺陷密度外延層,對生長條件進行優化。對器件的制作工藝進行改進,包括臺面腐蝕和高質量的鈍化。
        通過對4H-SiC外延層材料和器件制備工藝的改進,制備的4H-SiC-apd和1×128線列陣列總長度達到20mm,具有較好的性能。
        常溫下陣列的APD像素增益超過105,最大量子效率為53%@285nm.另外,1×1284h-sicapd線陣的像素輸出為100%,在95%的擊穿電壓下,其暗電流小于1na,而在0.3v的情況下,擊穿電壓變化較小。
        以上便是碳化硅光電二極管及其陣列的相關知識。

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